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我公司高頻加熱電源采用PWM脈寬調制技術，進口英飛凌（原西門子）IGBT模塊作為電源核心器件，整機性能穩定可靠。嚴格把關“新材料”、“用足料”工藝流程，確保電源可滿負荷長時間工作，任意多臺電源可并機使用。本電源體積小、重量輕、功能全、性能
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磁控濺射設備磁控濺射原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基
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多弧鍍膜設備多弧離子鍍膜設備是一種高效、無害、無污染的離子鍍膜設備，具有沉積速度快、離化率高、離子能量大、設備操作簡單、成本低、生產量大的優點。真空電弧離子的原理是基于冷陰極自持弧光放電結合脈沖技術及磁控濺射技術，使沉積粒子細化，膜層的各項
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熱絲CVD設備研發設施在公司實驗室內配置了具有高度安全性的監測系統用于監控和處理各類危險有毒氣體，比如硅烷等。(1)大面積團簇型薄膜沉積系統：最大襯底面積可達30厘米×40厘米，具有6個PECVD腔室（配有射頻，甚高頻電源以及具有脈沖
