熱絲CVD設備

研發設施(shi) 在公司實驗室(shi)內(nei)配(pei)置了具有高度(du)安全(quan)性的監測系(xi)統用(yong)于(yu)監控和處理各類危險(xian)有毒(du)氣體(ti)，比如(ru)硅烷等。

(1) 大(da)面積(ji)(ji)團(tuan)簇型薄(bo)膜沉積(ji)(ji)系統：最 大(da)襯底(di)面積(ji)(ji)可達30厘(li)(li)米×40厘(li)(li)米，具(ju)有(you)6個PECVD腔室（配(pei)(pei)有(you)射(she)頻(pin)，甚高頻(pin)電(dian)(dian)源以(yi)及具(ju)有(you)脈沖調(diao)制功(gong)能）和1個雙靶位濺射(she)系統（配(pei)(pei)有(you)直流和射(she)頻(pin)電(dian)(dian)源），以(yi)及多片倉位功(gong)能。整個操(cao)作可由電(dian)(dian)腦控制。

(2) 熱(re)蒸發系(xi)統用于制作金屬電極。

(3) 太陽電(dian)池測(ce)試系統：配有符(fu)合AM1.5G光譜(pu)的(de)氙燈光源(yuan)。可(ke)(ke)用于測(ce)量(liang)電(dian)池的(de)光暗(an)(an)I-V曲線(xian)和量(liang)子效率。也可(ke)(ke)用作測(ce)試各類半(ban)導體薄膜(mo)的(de)光暗(an)(an)電(dian)導率以及γ參數。

(4) 電(dian)導率激活能(neng)測試(shi)系(xi)統。

(5) 紅(hong)外(wai)光譜(pu)測(ce)試儀(yi)。

(6) 紫外至(zhi)紅外光的透射和(he)反射測量儀，配置有積分球。

(7) 橢偏儀(yi)用于測量薄膜厚(hou)度和(he)介電常數。

(8) 臺階儀(yi)用于(yu)測量(liang)薄膜厚度。

(9) 光發(fa)射譜(pu)儀用于實時(shi)監控等離(li)子體過程。

(10) 各種光源，濾(lv)波(bo)片，示波(bo)儀，顯微鏡以及(ji)其它實驗室(shi)通用儀器。