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磁控濺射系統的原理是稀薄氣體在反常輝光 放電發生的等離子體在電場的效果下，對陰極靶 材外表進行炮擊，把靶材外表的分子、原子、離子 及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有必定 的動能，沿必定的方向射向基體外表，在基體表 面構成鍍層。
濺射鍍膜開始呈現的是簡略的直流二極濺 射，它的長處是設備簡略，可是直流二極濺射沉 積速率低；為了堅持自我克制放電，不能在低氣壓下進行；不能濺射絕緣資料等缺陷限 制了其使用。在直流二極濺射設備中添加一個 熱陰極和輔佐陽極，就構成直流三極濺射。添加 的熱陰極和輔佐陽極發生的熱電子增強了濺射 氣體原子的電離，這樣使濺射即使在低氣壓下 也能進行;別的，還可下降濺射電壓，使濺射在低 氣壓，低電壓狀態下進行;一起放電電流也增大， 并可獨立操控，不受電壓影響。在熱陰極的前面 添加一個電極（柵網狀），構成四極濺射設備，可 使放電趨于穩定。可是這些設備難以取得濃度較 高的等離子體區，堆積速度較低，因而未取得廣 泛的工業使用。
磁控濺射是由二極濺射基礎上開展而來，在靶材外表樹立與電場正交磁場，處理了二極濺射 堆積速率低，等離子體離化率低一級問題，成為現在鍍膜工業首要辦法之一。磁控濺射與其它鍍膜 技能比較具有如下特色：可制備成靶的資料廣， 簡直一切金屬，合金和陶瓷資料都可以制成靶 材；在恰當條件下多元靶材共濺射方式，可堆積配比準確穩定的合金；在濺射的放電氣氛中加入 氧、氮或其它活性氣體，可堆積構成靶材物質與 氣體分子的化合物薄膜；經過準確地操控濺射鍍膜進程，簡單取得均勻的高精度的膜厚；經過離 子濺射靶資料物質由固態直接轉變為等離子態， 濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多 靶布置設計；濺射鍍膜速度快，膜層細密，附著性 好等特色，很適合于大批量，高效率工業生產。近 年來磁控濺射技能開展很快，具有代表性的辦法 有射頻濺射、反響磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈 沖磁控濺射、高速濺射等。
