磁控濺射是物理氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。磁控濺射系統廠家帶你了解更多！

磁控濺射(she)包(bao)括很多種類。各有不(bu)同工作原理和(he)應(ying)用(yong)對象。但有一共同點：利(li)用(yong)磁場與電(dian)場交互作用(yong)，使(shi)電(dian)子(zi)(zi)在(zai)靶(ba)表面附(fu)近成螺(luo)旋狀運行，從而增大電(dian)子(zi)(zi)撞擊氬氣產生(sheng)離子(zi)(zi)的概率。所產生(sheng)的離子(zi)(zi)在(zai)電(dian)場作用(yong)下撞向靶(ba)面從而濺射(she)出靶(ba)材。

濺射(she)(she)鍍膜就是(shi)在真空中利(li)用荷能粒(li)子轟擊靶表面，使被(bei)轟擊出的(de)粒(li)子沉積在基片上(shang)的(de)技術。利(li)用低壓惰(duo)性氣體輝光放電(dian)來產生入射(she)(she)離(li)子。

磁控濺射除上述已被大(da)量(liang)應用的領域(yu)，還(huan)在高溫超導(dao)薄(bo)(bo)膜(mo)、鐵(tie)電體薄(bo)(bo)膜(mo)、巨(ju)磁阻薄(bo)(bo)膜(mo)、薄(bo)(bo)膜(mo)發光材(cai)料、太陽能電池、記憶合金薄(bo)(bo)膜(mo)研究(jiu)方面(mian)發揮重要(yao)作用。

磁控濺射(she)的基本原(yuan)理是利用 Ar一O2混合氣(qi)體中的等離子體在電場(chang)(chang)和交變磁場(chang)(chang)的作(zuo)用下，被加(jia)速的高能粒子轟擊(ji)靶(ba)材表面，能量(liang)交換后，靶(ba)材表面的原(yuan)子脫離原(yuan)晶(jing)格而逸出，轉移(yi)到基體表面而成膜。

磁(ci)控(kong)濺(jian)射(she)的特點(dian)是成(cheng)膜(mo)速率高，基(ji)片(pian)溫(wen)度低，膜(mo)的粘(zhan)附性好(hao)，可(ke)實現大面積鍍膜(mo)。該技(ji)術可(ke)以分(fen)為直流(liu)磁(ci)控(kong)濺(jian)射(she)法和射(she)頻磁(ci)控(kong)濺(jian)射(she)法。

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