磁控濺射系統的(de)工作原理是指電(dian)子(zi)在電(dian)場E的(de)作用(yong)下，在飛(fei)向基片過(guo)程中(zhong)與氬原子(zi)發(fa)生碰撞，使其電(dian)離產生出Ar正離子(zi)和新(xin)的(de)電(dian)子(zi)；新(xin)電(dian)子(zi)飛(fei)向基片，Ar離子(zi)在電(dian)場作用(yong)下加速飛(fei)向陰極靶(ba)(ba)，并以高能量轟擊靶(ba)(ba)表面(mian)，使靶(ba)(ba)材發(fa)生濺射。

磁控濺射(she)(she)是入射(she)(she)粒子(zi)和(he)靶(ba)的碰撞過(guo)程。入射(she)(she)粒子(zi)在(zai)靶(ba)中經歷復雜的散射(she)(she)過(guo)程，和(he)靶(ba)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)碰撞，把(ba)部分動(dong)量(liang)傳給靶(ba)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)，此(ci)靶(ba)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)又和(he)其他靶(ba)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)碰撞，形(xing)成(cheng)級(ji)聯(lian)過(guo)程。

在濺射粒(li)子(zi)中，中性的(de)靶原(yuan)子(zi)或分(fen)子(zi)沉積在基片上形成薄膜，而(er)產生的(de)二(er)次(ci)電子(zi)會受到電場(chang)(chang)和磁場(chang)(chang)作用，產生E（電場(chang)(chang)）×B（磁場(chang)(chang)）所(suo)指的(de)方向漂移，簡稱E×B漂移，其運(yun)動軌跡近似于一(yi)條擺線。

磁(ci)(ci)控濺射(she)(she)包括很多種類。各(ge)有不同工(gong)作(zuo)原理和應用對象。但有一共同點：利用磁(ci)(ci)場與(yu)電(dian)場交互作(zuo)用，使電(dian)子(zi)在(zai)靶(ba)表(biao)面附近成螺旋狀運行，從而(er)增大電(dian)子(zi)撞(zhuang)擊氬氣產生離(li)子(zi)的(de)概率。所產生的(de)離(li)子(zi)在(zai)電(dian)場作(zuo)用下撞(zhuang)向靶(ba)面從而(er)濺射(she)(she)出靶(ba)材。

用磁控靶源(yuan)(yuan)濺(jian)(jian)射(she)(she)金屬(shu)和合金很(hen)(hen)容(rong)易，點火和濺(jian)(jian)射(she)(she)很(hen)(hen)方便(bian)。這是因為(wei)靶（陰極(ji)），等離(li)子(zi)體(ti)，和被濺(jian)(jian)零件/真空腔體(ti)可形成回路(lu)。但(dan)若濺(jian)(jian)射(she)(she)絕緣體(ti)如(ru)陶瓷則(ze)回路(lu)斷(duan)了。于是人們采用高頻(pin)(pin)電(dian)源(yuan)(yuan)，回路(lu)中(zhong)加入(ru)很(hen)(hen)強(qiang)的電(dian)容(rong)。這樣在絕緣回路(lu)中(zhong)靶材成了一個電(dian)容(rong)。但(dan)高頻(pin)(pin)磁(ci)控濺(jian)(jian)射(she)(she)電(dian)源(yuan)(yuan)昂貴，濺(jian)(jian)射(she)(she)速率很(hen)(hen)小，同(tong)時接(jie)地技(ji)術很(hen)(hen)復(fu)雜，因而難大規模(mo)采用。為(wei)解(jie)決此問題，發(fa)明了磁(ci)控反應濺(jian)(jian)射(she)(she)。