磁控濺射鍍膜機設備詳情(qing)
濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)鍍(du)膜就(jiu)是在(zai)真空中利用(yong)荷能粒子(zi)轟擊靶(ba)表面,使被轟擊出的(de)粒子(zi)沉積在(zai)基(ji)(ji)片上的(de)技術。通常,利用(yong)低(di)壓(ya)惰性氣體輝(hui)光放電來產生(sheng)入(ru)射(she)(she)離子(zi)。陰極(ji)靶(ba)由(you)鍍(du)膜材料制成(cheng),基(ji)(ji)片作為(wei)陽(yang)極(ji),真空室中通入(ru)0.1-10Pa的(de)氬(ya)氣或其它惰性氣體,在(zai)陰極(ji)(靶(ba))1-3KV直流(liu)負(fu)高壓(ya)或13.56MHz的(de)射(she)(she)頻(pin)電壓(ya)作用(yong)下產生(sheng)輝(hui)光放電。電離出的(de)氬(ya)離子(zi)轟擊靶(ba)表面,使得靶(ba)原子(zi)濺(jian)(jian)(jian)出并沉積在(zai)基(ji)(ji)片上,形成(cheng)薄膜。濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)方法很多(duo),主要有二級濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)、三級或四(si)級濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)、磁控濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)、對靶(ba)濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)、射(she)(she)頻(pin)濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)、偏壓(ya)濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)、非(fei)對稱交流(liu)射(she)(she)頻(pin)濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)、離子(zi)束濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)以及反(fan)應(ying)濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)等(deng)。
由于被濺射原子是與(yu)具有數十電子伏特(te)能(neng)量的(de)(de)正(zheng)離子交換動(dong)能(neng)后飛濺出(chu)來(lai)的(de)(de),因(yin)而濺射出(chu)來(lai)的(de)(de)原子能(neng)量高(gao)(gao),有利于提高(gao)(gao)沉積時原子的(de)(de)擴散能(neng)力,提高(gao)(gao)沉積組織(zhi)的(de)(de)致密程度,使制(zhi)出(chu)的(de)(de)薄膜與(yu)基(ji)片具有強的(de)(de)附著(zhu)力。
濺(jian)(jian)(jian)射(she)時,氣(qi)(qi)體被電離(li)之(zhi)后,氣(qi)(qi)體離(li)子(zi)(zi)在電場作用下(xia)(xia)飛(fei)向接陰極的(de)(de)靶(ba)材(cai),電子(zi)(zi)則飛(fei)向接地的(de)(de)壁(bi)腔(qiang)和(he)基(ji)片(pian)(pian)(pian)。這樣(yang)在低電壓(ya)和(he)低氣(qi)(qi)壓(ya)下(xia)(xia),產(chan)生的(de)(de)離(li)子(zi)(zi)數目(mu)少(shao),靶(ba)材(cai)濺(jian)(jian)(jian)射(she)效率低;而在高電壓(ya)和(he)高氣(qi)(qi)壓(ya)下(xia)(xia),盡(jin)管(guan)可以產(chan)生較多(duo)的(de)(de)離(li)子(zi)(zi),但飛(fei)向基(ji)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)電子(zi)(zi)攜帶的(de)(de)能量(liang)高,容(rong)易使基(ji)片(pian)(pian)(pian)發熱甚(shen)至發生二次濺(jian)(jian)(jian)射(she),影響制(zhi)膜質(zhi)量(liang)。另外,靶(ba)材(cai)原子(zi)(zi)在飛(fei)向基(ji)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)過程(cheng)中與(yu)氣(qi)(qi)體分子(zi)(zi)的(de)(de)碰撞幾率也大為(wei)增加,因而被散射(she)到整個腔(qiang)體,既會(hui)造(zao)成靶(ba)材(cai)浪費,又會(hui)在制(zhi)備多(duo)層(ceng)膜時造(zao)成各層(ceng)的(de)(de)污(wu)染(ran)。