磁控濺射鍍膜機設(she)備詳(xiang)情

濺(jian)射(she)(she)(she)鍍(du)膜就是(shi)在真空中(zhong)(zhong)利(li)用(yong)荷能粒子(zi)(zi)轟(hong)擊靶表面，使被轟(hong)擊出的粒子(zi)(zi)沉(chen)積在基片上的技(ji)術。通常(chang)，利(li)用(yong)低壓(ya)惰性氣(qi)體輝(hui)光(guang)放電(dian)來產生入射(she)(she)(she)離子(zi)(zi)。陰(yin)極(ji)(ji)靶由鍍(du)膜材料制成，基片作為(wei)陽極(ji)(ji)，真空室中(zhong)(zhong)通入0.1-10Pa的氬氣(qi)或(huo)(huo)其(qi)它惰性氣(qi)體，在陰(yin)極(ji)(ji)（靶）1-3KV直流負高(gao)壓(ya)或(huo)(huo)13.56MHz的射(she)(she)(she)頻電(dian)壓(ya)作用(yong)下產生輝(hui)光(guang)放電(dian)。電(dian)離出的氬離子(zi)(zi)轟(hong)擊靶表面，使得靶原(yuan)子(zi)(zi)濺(jian)出并沉(chen)積在基片上，形成薄膜。濺(jian)射(she)(she)(she)方(fang)法很(hen)多，主要有二(er)級濺(jian)射(she)(she)(she)、三級或(huo)(huo)四級濺(jian)射(she)(she)(she)、磁(ci)控濺(jian)射(she)(she)(she)、對靶濺(jian)射(she)(she)(she)、射(she)(she)(she)頻濺(jian)射(she)(she)(she)、偏壓(ya)濺(jian)射(she)(she)(she)、非對稱交流射(she)(she)(she)頻濺(jian)射(she)(she)(she)、離子(zi)(zi)束濺(jian)射(she)(she)(she)以及反(fan)應濺(jian)射(she)(she)(she)等(deng)。

由于(yu)被(bei)濺射原(yuan)子是與(yu)具有(you)數十電子伏特(te)能(neng)量的(de)正離子交換(huan)動能(neng)后飛(fei)濺出來(lai)的(de)，因(yin)而濺射出來(lai)的(de)原(yuan)子能(neng)量高，有(you)利于(yu)提(ti)高沉(chen)積時原(yuan)子的(de)擴散能(neng)力(li)，提(ti)高沉(chen)積組織的(de)致(zhi)密程度，使制出的(de)薄膜與(yu)基片具有(you)強的(de)附著力(li)。

濺(jian)射時，氣體(ti)被(bei)電(dian)(dian)(dian)離(li)(li)之(zhi)后，氣體(ti)離(li)(li)子(zi)(zi)在(zai)電(dian)(dian)(dian)場作用下飛向(xiang)接陰極(ji)的(de)靶材(cai)(cai)(cai)，電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)則飛向(xiang)接地的(de)壁腔和基片(pian)。這(zhe)樣在(zai)低電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)和低氣壓(ya)(ya)下，產生(sheng)的(de)離(li)(li)子(zi)(zi)數目(mu)少，靶材(cai)(cai)(cai)濺(jian)射效率低；而在(zai)高(gao)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)和高(gao)氣壓(ya)(ya)下，盡管可(ke)以產生(sheng)較多的(de)離(li)(li)子(zi)(zi)，但(dan)飛向(xiang)基片(pian)的(de)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)攜帶的(de)能量高(gao)，容(rong)易使基片(pian)發(fa)熱甚至(zhi)發(fa)生(sheng)二(er)次濺(jian)射，影響(xiang)制(zhi)膜質(zhi)量。另外，靶材(cai)(cai)(cai)原子(zi)(zi)在(zai)飛向(xiang)基片(pian)的(de)過程中(zhong)與氣體(ti)分(fen)子(zi)(zi)的(de)碰(peng)撞幾率也大為增加，因而被(bei)散(san)射到整個腔體(ti)，既會造成靶材(cai)(cai)(cai)浪費，又會在(zai)制(zhi)備多層膜時造成各層的(de)污染(ran)。