磁控濺(jian)射鍍膜機(ji)設(she)備詳情(qing)

濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)(she)鍍膜(mo)(mo)就是在真(zhen)空(kong)中利用(yong)荷能(neng)粒子(zi)(zi)轟(hong)擊(ji)靶表面，使被(bei)轟(hong)擊(ji)出的粒子(zi)(zi)沉積(ji)在基(ji)片(pian)上的技術(shu)。通常，利用(yong)低壓惰性氣體(ti)輝光(guang)放電來產生入(ru)射(she)(she)(she)離子(zi)(zi)。陰(yin)(yin)極靶由鍍膜(mo)(mo)材料制(zhi)成，基(ji)片(pian)作(zuo)為陽極，真(zhen)空(kong)室中通入(ru)0.1-10Pa的氬氣或其它(ta)惰性氣體(ti)，在陰(yin)(yin)極（靶）1-3KV直(zhi)流(liu)(liu)負(fu)高(gao)壓或13.56MHz的射(she)(she)(she)頻(pin)電壓作(zuo)用(yong)下產生輝光(guang)放電。電離出的氬離子(zi)(zi)轟(hong)擊(ji)靶表面，使得靶原子(zi)(zi)濺(jian)(jian)(jian)出并沉積(ji)在基(ji)片(pian)上，形(xing)成薄膜(mo)(mo)。濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)(she)方法很多，主要有二級濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)(she)、三級或四(si)級濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)(she)、磁控濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)(she)、對(dui)靶濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)(she)、射(she)(she)(she)頻(pin)濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)(she)、偏(pian)壓濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)(she)、非對(dui)稱交(jiao)流(liu)(liu)射(she)(she)(she)頻(pin)濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)(she)、離子(zi)(zi)束濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)(she)以及反應濺(jian)(jian)(jian)射(she)(she)(she)等。

由于被濺射原子(zi)是(shi)與具(ju)(ju)有數十電(dian)子(zi)伏特能量的(de)(de)正離(li)子(zi)交換(huan)動能后飛濺出來(lai)的(de)(de)，因而濺射出來(lai)的(de)(de)原子(zi)能量高，有利于提高沉積時原子(zi)的(de)(de)擴散能力，提高沉積組織的(de)(de)致密程度(du)，使(shi)制出的(de)(de)薄膜與基片具(ju)(ju)有強(qiang)的(de)(de)附著力。

濺射(she)時，氣(qi)(qi)體(ti)被電(dian)離(li)之后，氣(qi)(qi)體(ti)離(li)子(zi)在(zai)電(dian)場作用(yong)下(xia)(xia)飛(fei)(fei)向(xiang)接陰極的靶(ba)材(cai)，電(dian)子(zi)則飛(fei)(fei)向(xiang)接地的壁腔(qiang)和基(ji)(ji)片(pian)(pian)。這樣在(zai)低(di)電(dian)壓(ya)和低(di)氣(qi)(qi)壓(ya)下(xia)(xia)，產(chan)生(sheng)的離(li)子(zi)數目(mu)少，靶(ba)材(cai)濺射(she)效率低(di)；而(er)在(zai)高(gao)電(dian)壓(ya)和高(gao)氣(qi)(qi)壓(ya)下(xia)(xia)，盡管可以產(chan)生(sheng)較多(duo)的離(li)子(zi)，但飛(fei)(fei)向(xiang)基(ji)(ji)片(pian)(pian)的電(dian)子(zi)攜(xie)帶的能(neng)量高(gao)，容(rong)易使基(ji)(ji)片(pian)(pian)發熱甚至(zhi)發生(sheng)二次濺射(she)，影響制膜(mo)質量。另外，靶(ba)材(cai)原子(zi)在(zai)飛(fei)(fei)向(xiang)基(ji)(ji)片(pian)(pian)的過(guo)程中與(yu)氣(qi)(qi)體(ti)分子(zi)的碰(peng)撞幾率也(ye)大為(wei)增加，因而(er)被散射(she)到整個腔(qiang)體(ti)，既會造成靶(ba)材(cai)浪費，又會在(zai)制備(bei)多(duo)層(ceng)膜(mo)時造成各層(ceng)的污染。