磁控濺射鍍膜機設(she)備詳情

濺(jian)(jian)射(she)(she)(she)鍍(du)膜(mo)就(jiu)是在(zai)真空(kong)中(zhong)利(li)用(yong)荷能粒(li)子(zi)轟(hong)擊靶(ba)(ba)表面，使被轟(hong)擊出的粒(li)子(zi)沉(chen)積在(zai)基(ji)(ji)片上的技(ji)術。通常，利(li)用(yong)低壓惰(duo)性氣體輝(hui)光(guang)(guang)放電(dian)來產(chan)生入(ru)射(she)(she)(she)離子(zi)。陰極(ji)靶(ba)(ba)由鍍(du)膜(mo)材料制(zhi)成，基(ji)(ji)片作為(wei)陽極(ji)，真空(kong)室中(zhong)通入(ru)0.1-10Pa的氬(ya)(ya)氣或其它惰(duo)性氣體，在(zai)陰極(ji)（靶(ba)(ba)）1-3KV直流(liu)負高(gao)壓或13.56MHz的射(she)(she)(she)頻(pin)電(dian)壓作用(yong)下產(chan)生輝(hui)光(guang)(guang)放電(dian)。電(dian)離出的氬(ya)(ya)離子(zi)轟(hong)擊靶(ba)(ba)表面，使得(de)靶(ba)(ba)原子(zi)濺(jian)(jian)出并沉(chen)積在(zai)基(ji)(ji)片上，形成薄膜(mo)。濺(jian)(jian)射(she)(she)(she)方法很多，主要有(you)二級濺(jian)(jian)射(she)(she)(she)、三級或四(si)級濺(jian)(jian)射(she)(she)(she)、磁控濺(jian)(jian)射(she)(she)(she)、對靶(ba)(ba)濺(jian)(jian)射(she)(she)(she)、射(she)(she)(she)頻(pin)濺(jian)(jian)射(she)(she)(she)、偏壓濺(jian)(jian)射(she)(she)(she)、非對稱(cheng)交流(liu)射(she)(she)(she)頻(pin)濺(jian)(jian)射(she)(she)(she)、離子(zi)束濺(jian)(jian)射(she)(she)(she)以及反應濺(jian)(jian)射(she)(she)(she)等(deng)。

由于(yu)被濺(jian)射原子(zi)是與具(ju)有數十電(dian)子(zi)伏(fu)特能量的(de)(de)(de)(de)(de)正離子(zi)交換(huan)動能后飛濺(jian)出(chu)來的(de)(de)(de)(de)(de)，因而濺(jian)射出(chu)來的(de)(de)(de)(de)(de)原子(zi)能量高，有利于(yu)提高沉積時(shi)原子(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)擴散能力，提高沉積組織的(de)(de)(de)(de)(de)致密程度，使制出(chu)的(de)(de)(de)(de)(de)薄(bo)膜與基片具(ju)有強的(de)(de)(de)(de)(de)附著力。

濺射(she)時，氣體被電(dian)離(li)之后，氣體離(li)子(zi)在(zai)(zai)電(dian)場作(zuo)用下(xia)飛(fei)向接陰極(ji)的(de)(de)靶(ba)材，電(dian)子(zi)則飛(fei)向接地的(de)(de)壁腔(qiang)和基(ji)(ji)片。這樣在(zai)(zai)低電(dian)壓和低氣壓下(xia)，產(chan)生(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)離(li)子(zi)數目少，靶(ba)材濺射(she)效率(lv)低；而在(zai)(zai)高電(dian)壓和高氣壓下(xia)，盡(jin)管可以(yi)產(chan)生(sheng)(sheng)(sheng)較多的(de)(de)離(li)子(zi)，但飛(fei)向基(ji)(ji)片的(de)(de)電(dian)子(zi)攜(xie)帶的(de)(de)能(neng)量高，容易使基(ji)(ji)片發熱甚至發生(sheng)(sheng)(sheng)二次(ci)濺射(she)，影響制(zhi)膜(mo)質(zhi)量。另外，靶(ba)材原子(zi)在(zai)(zai)飛(fei)向基(ji)(ji)片的(de)(de)過程中與氣體分子(zi)的(de)(de)碰(peng)撞幾率(lv)也(ye)大為增加，因而被散射(she)到(dao)整(zheng)個腔(qiang)體，既會造成靶(ba)材浪費，又會在(zai)(zai)制(zhi)備(bei)多層膜(mo)時造成各層的(de)(de)污染。