磁控濺射鍍(du)膜(mo)機設備詳情

濺射(she)(she)鍍膜就(jiu)是在真空(kong)中利用(yong)(yong)荷能粒子(zi)轟擊(ji)(ji)靶表面(mian)，使被轟擊(ji)(ji)出(chu)的(de)(de)粒子(zi)沉積(ji)在基片上(shang)(shang)的(de)(de)技術。通(tong)常(chang)，利用(yong)(yong)低壓惰(duo)性氣體輝(hui)光放(fang)電來產生入射(she)(she)離(li)子(zi)。陰(yin)極靶由鍍膜材料制成，基片作(zuo)為陽極，真空(kong)室中通(tong)入0.1-10Pa的(de)(de)氬氣或(huo)其它惰(duo)性氣體，在陰(yin)極（靶）1-3KV直流負高壓或(huo)13.56MHz的(de)(de)射(she)(she)頻(pin)電壓作(zuo)用(yong)(yong)下產生輝(hui)光放(fang)電。電離(li)出(chu)的(de)(de)氬離(li)子(zi)轟擊(ji)(ji)靶表面(mian)，使得(de)靶原子(zi)濺出(chu)并沉積(ji)在基片上(shang)(shang)，形成薄膜。濺射(she)(she)方法很(hen)多，主要有二級濺射(she)(she)、三級或(huo)四級濺射(she)(she)、磁控濺射(she)(she)、對靶濺射(she)(she)、射(she)(she)頻(pin)濺射(she)(she)、偏壓濺射(she)(she)、非對稱交流射(she)(she)頻(pin)濺射(she)(she)、離(li)子(zi)束(shu)濺射(she)(she)以及反(fan)應濺射(she)(she)等(deng)。

由(you)于被濺射原子(zi)是與具(ju)有(you)數十電(dian)子(zi)伏特能量的(de)正離子(zi)交換動能后飛濺出(chu)(chu)來的(de)，因而濺射出(chu)(chu)來的(de)原子(zi)能量高(gao)，有(you)利于提(ti)高(gao)沉(chen)積時(shi)原子(zi)的(de)擴(kuo)散能力，提(ti)高(gao)沉(chen)積組(zu)織的(de)致密(mi)程度(du)，使制出(chu)(chu)的(de)薄膜與基片具(ju)有(you)強的(de)附(fu)著力。

濺射時，氣體被(bei)電(dian)離(li)之后，氣體離(li)子(zi)(zi)(zi)在(zai)電(dian)場作用下(xia)飛(fei)向接陰極的(de)靶(ba)材(cai)，電(dian)子(zi)(zi)(zi)則飛(fei)向接地(di)的(de)壁腔(qiang)和基片。這樣在(zai)低(di)電(dian)壓(ya)和低(di)氣壓(ya)下(xia)，產(chan)生的(de)離(li)子(zi)(zi)(zi)數目少(shao)，靶(ba)材(cai)濺射效率(lv)低(di)；而(er)在(zai)高(gao)電(dian)壓(ya)和高(gao)氣壓(ya)下(xia)，盡(jin)管可(ke)以產(chan)生較多的(de)離(li)子(zi)(zi)(zi)，但飛(fei)向基片的(de)電(dian)子(zi)(zi)(zi)攜(xie)帶的(de)能量高(gao)，容易使基片發(fa)熱甚至發(fa)生二次濺射，影(ying)響制膜質量。另外，靶(ba)材(cai)原子(zi)(zi)(zi)在(zai)飛(fei)向基片的(de)過程(cheng)中與氣體分子(zi)(zi)(zi)的(de)碰撞幾率(lv)也大(da)為增加，因而(er)被(bei)散射到整個腔(qiang)體，既會造成(cheng)靶(ba)材(cai)浪費，又會在(zai)制備多層(ceng)膜時造成(cheng)各(ge)層(ceng)的(de)污染。