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CVD設備
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磁控濺射設備的實際操作很難

2022-05-06 14:25:32

磁控濺射設備的實際操作很難

磁控濺射設備濺射絕緣子好像很容易,但實際操作卻很困難。 主要問題是該反響不只發生在零件的外表上,而且發生在陽,真空腔的外表和方針源的外表上,這會導致救活,方針源和外表起弧 工件。 德國萊比錫發明的雙靶技術很好地處理了這個問題。 原理是一對方針源是彼此的陰和陽,因而陽外表被氧化或氮化。

在450磁控濺射中,由于運動中的電子在磁場中受到洛倫茲力,因而它們的運動軌跡會彎曲甚至產生螺旋運動,而且它們的運動路徑會變長,然后增加了與工作氣體分子碰撞的次數并產生了等離子體 堆積密度的增加,使得磁控管濺射速率大大提高,而且能夠在較低的濺射電壓和氣壓下工作,然后減少了薄膜污染的趨勢。

在機械加工工業中,外表功用膜,超硬膜和自潤滑膜的外表沉積技術自面世以來發展迅速,能夠提高外表硬度,復合韌性,耐磨性和高溫化學穩定性。 延伸涂層產品的壽數。


磁控濺射設備


磁控濺射設備體系的主要用途

(1)各種功用性薄膜:具有吸收,透射,反射,折射和偏振功用的薄膜。 例如,在低溫下沉積氮化硅抗反射膜以提高太陽能電池的光電轉化功率。

(2)在裝修范疇的使用,例如各種全反射膜和半透明膜,例如手機殼,鼠標等。

(3)作為微電子范疇的非熱鍍膜技術,主要用于化學氣相沉積(CVD)或金屬有機

(4)化學氣相沉積(CVD)難以成長而且不適合用于資料的薄膜沉積,而且能夠獲得大面積的非常均勻的薄膜。

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