熱絲CVD設備

研發設施 在公司實驗室內配置了具有高度安全性的監測系統用于監控和處理各類危險有毒氣體，比如硅烷等。

(1) 大面積團簇型薄膜沉積系統：最 大襯底面積可達30厘米×40厘米，具有6個PECVD腔室（配有射頻，甚高頻電源以及具有脈沖調制功能）和1個雙靶位濺射系統（配有直流和射頻電源），以及多片倉位功能。整個操作可由電腦控制。

(2) 熱蒸發系統用于制作金屬電極。

(3) 太陽電池測試系統：配有符合AM1.5G光譜的氙燈光源。可用于測量電池的光暗I-V曲線和量子效率。也可用作測試各類半導體薄膜的光暗電導率以及γ參數。

(4) 電導率激活能測試系統。

(5) 紅外光譜測試儀。

(6) 紫外至紅外光的透射和反射測量儀，配置有積分球。

(7) 橢偏儀用于測量薄膜厚度和介電常數。

(8) 臺階儀用于測量薄膜厚度。

(9) 光發射譜儀用于實時監控等離子體過程。

(10) 各種光源，濾波片，示波儀，顯微鏡以及其它實驗室通用儀器。