熱絲CVD設備

研發(fa)設施(shi) 在公司實驗室內配置了具有高度安全(quan)性的監(jian)測系(xi)統用于監(jian)控和處理各類危險有毒氣(qi)體，比如(ru)硅烷等。

(1) 大(da)面積團簇型(xing)薄(bo)膜沉積系(xi)統：最(zui) 大(da)襯底面積可達30厘米×40厘米，具有(you)(you)6個(ge)PECVD腔室（配(pei)有(you)(you)射(she)(she)頻(pin)，甚高頻(pin)電(dian)源以及具有(you)(you)脈沖調制(zhi)功(gong)能(neng)）和1個(ge)雙靶位濺射(she)(she)系(xi)統（配(pei)有(you)(you)直流和射(she)(she)頻(pin)電(dian)源），以及多片倉位功(gong)能(neng)。整個(ge)操作可由電(dian)腦控制(zhi)。

(2) 熱(re)蒸發(fa)系統(tong)用(yong)于制作金屬電極。

(3) 太(tai)陽電(dian)(dian)池測(ce)試系(xi)統：配有符合(he)AM1.5G光譜的氙燈光源。可用(yong)于測(ce)量(liang)電(dian)(dian)池的光暗I-V曲線和量(liang)子效率。也可用(yong)作測(ce)試各類(lei)半導體薄膜的光暗電(dian)(dian)導率以及(ji)γ參數。

(4) 電導率激活能測(ce)試系(xi)統(tong)。

(5) 紅外光譜測試儀(yi)。

(6) 紫(zi)外(wai)至紅外(wai)光的透射和(he)反射測量儀，配置有積分球。

(7) 橢偏(pian)儀(yi)用于測(ce)量(liang)薄膜(mo)厚(hou)度和介電常數(shu)。

(8) 臺階儀用(yong)于測(ce)量薄膜(mo)厚度(du)。

(9) 光發射譜儀用(yong)于實時監(jian)控(kong)等離子體過程(cheng)。

(10) 各種光源，濾波(bo)片，示(shi)波(bo)儀，顯微鏡(jing)以及其它(ta)實驗室通用儀器(qi)。