熱絲CVD設備

研發設施 在公司實驗室內配置(zhi)了具有(you)高度安全性的監測系統用(yong)于監控和處理各類危險(xian)有(you)毒氣體(ti)，比如(ru)硅烷等。

(1) 大面積(ji)團簇型薄(bo)膜沉積(ji)系(xi)統：最 大襯底面積(ji)可達30厘米×40厘米，具(ju)有(you)(you)6個(ge)PECVD腔(qiang)室（配有(you)(you)射(she)(she)頻，甚(shen)高頻電(dian)源以及具(ju)有(you)(you)脈沖(chong)調制功(gong)能）和1個(ge)雙靶(ba)位(wei)濺射(she)(she)系(xi)統（配有(you)(you)直流和射(she)(she)頻電(dian)源），以及多(duo)片倉位(wei)功(gong)能。整個(ge)操作可由電(dian)腦控制。

(2) 熱蒸發系統(tong)用于制作金屬電極(ji)。

(3) 太陽(yang)電池測試系(xi)統：配有符合AM1.5G光(guang)譜的氙(xian)燈光(guang)源。可(ke)用(yong)于(yu)測量(liang)電池的光(guang)暗I-V曲線和量(liang)子效率。也可(ke)用(yong)作測試各類半導(dao)體薄(bo)膜的光(guang)暗電導(dao)率以及γ參數。

(4) 電導率激活能(neng)測試系統。

(5) 紅外光譜測(ce)試儀(yi)。

(6) 紫外至紅外光的(de)透(tou)射和(he)反(fan)射測(ce)量儀，配置有積分(fen)球。

(7) 橢(tuo)偏儀用于測量薄(bo)膜厚度和介電常數。

(8) 臺階儀用于測量(liang)薄膜厚度(du)。

(9) 光(guang)發射譜儀用于實時監控(kong)等離子體(ti)過程。

(10) 各種光源(yuan)，濾波(bo)片(pian)，示波(bo)儀，顯微鏡以(yi)及其它(ta)實驗(yan)室(shi)通用儀器。