熱絲CVD設備

研發設施 在公司實驗室內配置了具有(you)高度安全性的(de)監(jian)測系(xi)統用于監(jian)控和處理各類危險有(you)毒氣體，比如硅烷等(deng)。

(1) 大(da)面積(ji)團簇型(xing)薄膜沉積(ji)系統：最 大(da)襯底面積(ji)可達30厘米×40厘米，具有(you)(you)6個(ge)PECVD腔室（配有(you)(you)射頻，甚高頻電(dian)源(yuan)以及具有(you)(you)脈(mo)沖調(diao)制(zhi)功能）和(he)1個(ge)雙靶位濺射系統（配有(you)(you)直流和(he)射頻電(dian)源(yuan)），以及多片(pian)倉位功能。整(zheng)個(ge)操作(zuo)可由電(dian)腦控制(zhi)。

(2) 熱蒸發系統用于制作金屬電極。

(3) 太陽(yang)電(dian)池(chi)測試(shi)系統：配有符合AM1.5G光(guang)譜(pu)的(de)氙(xian)燈光(guang)源。可用于(yu)測量電(dian)池(chi)的(de)光(guang)暗(an)(an)I-V曲線和(he)量子效率。也可用作測試(shi)各(ge)類半導體(ti)薄膜的(de)光(guang)暗(an)(an)電(dian)導率以及γ參數。

(4) 電導率激(ji)活(huo)能測試系統。

(5) 紅外光譜測試儀。

(6) 紫(zi)外至紅外光的透射和反射測(ce)量儀，配置(zhi)有積分球。

(7) 橢(tuo)偏儀用于測量(liang)薄膜(mo)厚度和介(jie)電(dian)常數(shu)。

(8) 臺(tai)階儀用(yong)于測量(liang)薄膜厚度。

(9) 光發射譜儀用于實(shi)時監控等離子體過程。

(10) 各(ge)種(zhong)光(guang)源(yuan)，濾波(bo)片，示波(bo)儀，顯(xian)微鏡(jing)以及(ji)其它實驗室通用儀器。