熱絲CVD設備

研(yan)發設施 在公司實驗室內(nei)配置了具有(you)高(gao)度(du)安(an)全性的監測系統(tong)用于監控和處理各類危(wei)險有(you)毒氣體(ti)，比如硅(gui)烷等。

(1) 大(da)面積團(tuan)簇型薄膜沉積系統(tong)(tong)：最(zui) 大(da)襯底面積可達30厘米×40厘米，具(ju)有(you)6個(ge)PECVD腔室（配有(you)射頻，甚(shen)高(gao)頻電(dian)(dian)源以(yi)及具(ju)有(you)脈沖(chong)調制(zhi)(zhi)功能）和(he)1個(ge)雙靶位濺射系統(tong)(tong)（配有(you)直流和(he)射頻電(dian)(dian)源），以(yi)及多(duo)片倉位功能。整個(ge)操作可由電(dian)(dian)腦控制(zhi)(zhi)。

(2) 熱蒸發系統用于制作金屬(shu)電極。

(3) 太陽(yang)電池測(ce)試系統：配有符(fu)合AM1.5G光(guang)譜的氙燈光(guang)源(yuan)。可(ke)用(yong)于測(ce)量(liang)電池的光(guang)暗I-V曲線和量(liang)子(zi)效(xiao)率。也(ye)可(ke)用(yong)作(zuo)測(ce)試各(ge)類半導體薄(bo)膜的光(guang)暗電導率以及γ參數(shu)。

(4) 電導率(lv)激活能測試系統。

(5) 紅(hong)外光譜(pu)測試儀。

(6) 紫外(wai)至(zhi)紅(hong)外(wai)光的透射(she)和反射(she)測量儀(yi)，配置有積分球。

(7) 橢偏儀用于測量薄膜厚度和介電常數。

(8) 臺(tai)階儀(yi)用于測量薄膜厚(hou)度。

(9) 光(guang)發(fa)射譜儀用于實時監(jian)控等離子(zi)體過(guo)程。

(10) 各種(zhong)光源，濾波片，示(shi)波儀，顯(xian)微(wei)鏡以及其它實驗室通用儀器。