磁控濺射系統包括許多類型，每個都有不同的工作原理和應用對象。 但是，它們有一個共同點：磁場和電場之間的相互作用導致電子在目標表面附近盤旋，從而增加了電子撞擊氬氣產生離子的可能性。 產生的離子在電場的作用下撞擊靶表面并濺射靶材料。

目標源分為平衡和不平衡類型。 平衡的靶源涂膜均勻，不平衡的靶源涂膜層與基材的結合力強。 平衡的目標光源主要用于半導體光學薄膜，不平衡的光源主要用于耐磨裝飾膜。 根據磁場配置，磁控管陰極可大致分為平衡磁控管陰極和不平衡磁控管陰極。 平衡磁控管陰極內部和外部的電磁鋼磁通量大致相等。 兩極的磁力線在目標表面閉合，從而將電子/等離子體限制在目標表面附近，從而增加了碰撞的可能性并提高了電離效率。 它可以在壓力和電壓下點燃并維持輝光放電，目標利用率相對較高，但是由于電子沿著磁場線移動主要是封閉在目標表面上，因此基板區域的離子轟擊較少。 不平衡磁控管濺射技術概念是使磁控管陰極的外磁極的磁通量大于內磁極的磁通量。 兩極的磁力線在目標表面上沒有完全閉合。 磁力線的一部分可以沿著目標的邊緣延伸到基板的區域。 增加基板區域的等離子體密度和氣體電離速率。 不論平衡與不平衡，如果磁體是靜止的，其磁場特性決定了總體目標利用率小于30％。 為了提高目標利用率，可以使用旋轉磁場。 但是旋轉磁場需要旋轉機構，同時降低了濺射速率。 旋轉磁場主要用于大型或有價值的目標。 如半導體薄膜濺射。 對于小型設備和通用工業設備，經常使用多用途磁場固定目標源。

用磁控管靶源濺射金屬和合金很容易，并且點火和濺射也很方便。 這是因為靶（陰極），等離子體和濺射部分/真空腔可以形成電路。 但是，如果使用濺射絕緣體（例如陶瓷），則電路會損壞。 因此人們使用高頻電源，在環路中增加了一個堅固的電容器。 這樣，目標就成為絕緣電路中的電容器。 但是，高頻磁控管濺射電源價格昂貴，濺射率小，并且接地技術復雜，因此難以大規模采用。 為了解決這個問題，發明了磁控反應濺射。 使用金屬靶，添加氬氣和氮氣或氧氣等反應氣體。 金屬靶由于能量轉換而與零件碰撞時，會與反應性氣體結合形成氮化物或氧化物。 磁控反應濺射絕緣子似乎很容易，但實際操作卻很困難。 主要問題是反應不僅發生在零件表面，而且發生在陽極，真空腔的表面和目標源的表面。 這將導致滅火，目標源和工件表面起弧。 德國萊比錫發明的雙靶技術很好地解決了這個問題。 原理是一對目標源是彼此的陰極和陽極，從而消除了陽極表面的氧化或氮化。