磁控濺射靶材的使用率可成為磁控濺射源的工程設計和生產工藝成本核算的一個參數。截止2012年，還沒有見到對磁控濺射靶材使用率專門或系統研究的報導，而從理論上對磁控濺射靶材使用率近似計算的探討具有實際意義。對于靜態直冷矩形平面靶，即靶材與磁體之間無相對運動且靶材直接與冷卻水接觸的靶， 靶材使用率( 大值) 數據多在20~30左右(間冷靶相對要高一些，但其被刻蝕過程與直冷

靶相同，不作專門評論)，且多為估計值。為了進步靶材使用率，研究出來了不同形式的動態靶，其間以旋轉磁場圓柱靶且在工業上被廣泛應用，據稱這種靶材的使用率高可超越70，但短少足夠數據或理論證明。常見的磁控濺射靶材從幾許形狀上看有三種類型:矩形平面、圓形平面和圓柱管.

怎么進步使用率是真空磁控濺射鍍膜行業,圓柱管靶使用高,但在有些工業是不適用。

使用外加磁場捕捉電子，延伸和束縛電子的運動路徑，搞高離化率，增加鍍膜速率。

1)濺射粒子(主要是原子，還有少數離子等)的均勻能量達幾個電子伏，比蒸騰粒子的均勻動能kT高得多(3000K蒸騰時均勻動能僅0.26eV)，濺射粒子的角分布與入射離子的方向有關。(2)入射離子能量大(在幾千電子伏范圍內)，濺射率(濺射出來的粒子數與入射離子數之比)大。入射離子能量再大，濺射率到達值;能量大到幾萬電子伏，離子注入效應增強，濺射率下降。(3)入射離子質量大，濺射率大。(4)入射離子方向與靶面法線方向的夾角大，濺射率大(歪斜入射比筆直入射時濺射率大)。(5)單晶靶由于焦距磕碰(級聯過程中傳遞的動量愈來愈接近原子列方向)，在密排方向上發生優先濺射。(6)不同靶材的濺射率很不相同。

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