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磁控濺射的優點
1、沉積速度快、基材溫升低、對膜層的損傷小；
2、對于大部分材料，只要能制成耙材，就可以實現濺射；
3、濺射所獲得的薄膜與基片結合較好；
4、濺射所獲得的薄膜純度高、致密性好、成膜均勻性好；
5、濺射工藝可重復性好，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜；
6、能夠準控制鍍層的厚度，同時可通過改變參數條件控制組成薄膜的顆粒大小；
7、不同的金屬、合金、氧化物能夠進行混合，同時濺射于基材上；
8、易于實現工業化。
磁控濺射所利用的環狀磁場迫使二次電子跳欄式地沿著環狀磁場轉圈。相應地，環狀磁場控制的區域是等離子體密度高的部位。在磁控濺射時，可以看見濺射氣體——氬氣在這部位發出強烈的淡藍色輝光，形成一個光環。處于光環下的靶材是被離子轟擊嚴重的部位，會濺射出一條環狀的溝槽。環狀磁場是電子運動的軌道，環狀的輝光和溝槽將其形象地表現了出來。磁控濺射靶的濺射溝槽一旦穿透靶材，就會導致整塊靶材報廢，所以靶材的利用率不高，一般低于40％；
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