束源爐

在真空(kong)(kong)環境中(zhong)，將(jiang)材料加熱(re)并鍍(du)到(dao)基(ji)片上稱為真空(kong)(kong)蒸(zheng)(zheng)鍍(du),蒸(zheng)(zheng)鍍(du)法的加熱(re)方式(shi)有(you)電(dian)流加熱(re)、電(dian)子束加熱(re)、輻射加熱(re)等，當蒸(zheng)(zheng)發源達到(dao)蒸(zheng)(zheng)發溫度后(hou)，會(hui)以分子、原子或團簇等自由程(cheng)較(jiao)大(da)的狀態出現，這些粒子遇到(dao)溫度較(jiao)低(di)的基(ji)底時(shi)就會(hui)就會(hui)沉積形(xing)成薄膜，蒸(zheng)(zheng)鍍(du)法有(you)純度高潔凈好(hao)的優點，常(chang)用于金屬鍍(du)膜、非金屬鍍(du)膜和有(you)機物鍍(du)膜。

容納并加(jia)熱蒸發(fa)(fa)加(jia)熱材(cai)料的(de)設備是熱蒸發(fa)(fa)源，束(shu)源爐(lu)(lu)(lu)是熱蒸發(fa)(fa)源的(de)一種(zhong)，其包括坩堝和噴射口兩部(bu)分構成，傳統束(shu)源爐(lu)(lu)(lu)采用臥式(shi)蒸發(fa)(fa)的(de)空間結構，大(da)大(da)降低了該技術在(zai)(zai)工(gong)業(ye)生產上的(de)應用和推廣，并且大(da)多(duo)數束(shu)源爐(lu)(lu)(lu)在(zai)(zai)蒸發(fa)(fa)低溫(wen)材(cai)料或是對溫(wen)度比較敏感的(de)材(cai)料時不能(neng)很好的(de)進(jin)行控制。常(chang)見有單個(ge)噴嘴(zui)束(shu)源爐(lu)(lu)(lu)和多(duo)個(ge)噴嘴(zui)的(de)臥式(shi)束(shu)源爐(lu)(lu)(lu)，單個(ge)噴嘴(zui)在(zai)(zai)襯(chen)底上沉積均勻(yun)性(xing)差；臥式(shi)束(shu)源爐(lu)(lu)(lu)不能(neng)在(zai)(zai)豎直方向上均勻(yun)鍍(du)膜，且低溫(wen)蒸發(fa)(fa)時，響應時間長，溫(wen)控效(xiao)果差。