磁控濺射包含許多種類。各有不同工作原理和使用對象。但有總共同點：使用磁場與電場交互作用，使電子在靶外表鄰近成螺旋狀運轉，然后電子碰擊氬氣發生離子的概率。所發生的離子在電場作用下撞向靶面然后濺射出靶材。

磁控濺射靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰按照磁場位形散布不同，大致可分為平衡態磁控陰和非平衡態磁控陰。平衡態磁控陰內外磁鋼的磁通量大致相等，兩磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體束縛在靶面鄰近，增加了磕碰幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并保持輝光放電，靶材使用率相對較高。但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面，基片區域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技能，即讓磁控陰外磁磁通大于內磁，兩磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊際延伸到基片區域，然后部分電子可以沿著磁力線擴展到基片，增加基片區域的等離子體密度和氣體電離率。不論平衡還對錯平衡，若磁鐵停止，其磁場特性決定了一般靶材使用率小于30。為增靶材使用率，可選用旋轉磁場。但旋轉磁場需要旋轉機構，一起濺射速率要減小。旋轉磁場多用于大型或貴重靶，如半導體膜濺射。關于小型設備和一般工業設備，多用磁場停止靶源。

用磁控靶源濺射金屬和合金很簡單，焚燒和濺射很方便。這是由于靶（陰），等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體（如陶瓷），則回路斷了。于是人們選用高頻電源，回路中加入很強的電容，這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源貴重，濺射速率很小，一起接地技能很雜亂，因而難大規模選用。為處理此問題，創造晰磁控反應濺射。便是用金屬靶，加入氬氣和反應氣體如氮氣或氧氣。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉化，與反應氣體化合生成氮化物或氧化物。

磁控反應濺射絕緣體看似簡單，而實際操作困難。主要問題是反應不但發生在零件外表，也發生在陽，真空腔體外表以及靶源外表，然后引起救活，靶源和工件外表起弧等。德國萊寶創造的孿生靶源技能，很好的處理了這個問題。其原理是一對靶源互相為陰陽，然后消除陽外表氧化或氮化。

冷卻是一切源（磁控，多弧，離子）所需，由于能量很大一部分轉為熱量，若無冷卻或冷卻缺乏，這種熱量將使靶源溫度達一千度以上然后溶化整個靶源。

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