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濺射鍍膜就是在真空中使用荷能粒子轟擊靶外表，使被轟擊出的粒子堆積在基片上的技術。一般，使用低壓惰性氣體輝光放電來產生入射離子。陰靶由鍍膜資料制成，基片作為陽，真空室中通入0.1-10Pa的氬氣或其它惰性氣體，在陰（靶）1-3KV直流負高壓或13.56MHz的射頻電壓效果下產生輝光放電。電離出的氬離子轟擊靶外表，使得靶原子濺起并堆積在基片上，形成薄膜。濺射方法很多，主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱溝通射頻濺射、離子束濺射以及反應濺射等。
由于被濺射原子是與具有數十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺起來的，因此濺射出來的原子能量高，有利于提高堆積時原子的擴散才能，提高堆積安排的細密程度，使制出的薄膜與基片具有強的附著力。
濺射時，氣體被電離之后，氣體離子在電場效果下飛向接陰的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下，產生的離子數目少，靶材濺射功率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，簡單使基片發熱乃至產生二次濺射，影響制膜質量。別的，靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因此被散射到整個腔體，既會形成靶材浪費，又會在制備多層膜時形成各層的污染。
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