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在磁控濺射設備使用過程中，具體工藝過程對薄膜性能影響很大，主要工藝流程如下：
（1）基片清洗，主要是用異丙醇蒸汽清洗，隨后用乙醇、丙酮浸泡基片后快速烘干，以去除表面油污；
（2）抽真空，真空須控制在2 × 104 Pa以上，以保證薄膜的純度；
（3）加熱，為了除去基片表面水分，提高膜與基片的結合力，需要對基片進行加熱，溫度一般選擇在150 ℃~200 ℃之間；
（4）氬氣分壓，一般選擇在0.01一lPa范圍內，以滿足輝光放電的氣壓條件；
（5）預濺射，預濺射是通過離子轟擊以除去靶材表面氧化膜，以免影響薄膜質量；
（6）濺射，氬氣電離后形成的正離子在正交的磁場和電場的作用下，高速轟擊靶材，使濺射出的靶材粒子到達基片表面沉積成膜；
（7）退火，薄膜與基片的熱膨脹系數有差異，結合力小，退火時薄膜與基片原子相互擴散可以有效提高粘著力。
磁控濺射鍍膜技術由于其顯著的優點已經成為制備薄膜的主要技術之一。非平衡磁控濺射改善了等離子體區域的分布，顯著提高了薄膜的質量。中頻濺射鍍膜技術的發展有效克服了反應濺射過程中出現的打弧現象，減少了薄膜的結構缺陷，明顯提高了薄膜的沉積速率。高速濺射、高能脈沖磁控濺射鍍膜技術為濺射鍍膜開辟了嶄新的研究領域。在未來的研究中，新濺射技術向生活領域的推廣、磁控濺射鍍膜技術與計算機的結合都將成為研究熱點，利用計算機模擬鍍膜時的磁場、電場、溫度場、以及等離子體的分布，必將能給濺射鍍膜技術的發展提供巨大的擴展空間，推動磁控濺射鍍膜技術向工業及生活領域轉化。
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