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磁控濺射原理：電子在電場的效果下加速飛向基片的過程中與氬原子發生磕碰，電離出很多的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的效果下加速轟擊靶材，濺射出很多的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中遭到磁場洛倫茲力的影響，被捆綁在靠近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的效果下環繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長。
假如靶材是磁性材料，磁力線被靶材屏蔽，磁力線難以穿透靶材在靶材外表上方構成磁場，磁控的效果將大大下降。因而，濺射磁性材料時，一方面要求磁控靶的磁場要強一些，另一方面靶材也要制備的薄一些，以便磁力線能穿過靶材，在靶面上方發生磁控效果。
磁控濺射設備一般根據所采用的電源的不同又可分為直流濺射和射頻濺射兩種。直流磁控濺射的特點是在陽基片和陰靶之間加一個直流電壓，陽離子在電場的效果下轟擊靶材，它的濺射速率一般都比較大。但是直流濺射一般只能用于金屬靶材，因為假如是絕緣體靶材，則因為陽粒子在靶外表堆集，形成所謂的“靶中毒”，濺射率越來越低。
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