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磁控濺射屬于輝光放電領域，使用陰濺射原理進行鍍膜。膜層粒子來源于輝光放電中，氬離子對陰靶材發生的陰濺射效果。氬離子將靶材原子濺射下來后，堆積到元件表面形成所需膜層。磁控原理便是采用正交電磁場的特別分布控制電場中的電子運動軌道，使得電子在正交電磁場中變成了擺線運動，因而大大添加了與氣體分子磕碰的幾率。
磁控濺射的優點
1、堆積速度快、基材溫升低、對膜層的損傷小；
2、關于大部分資料，只要能制成耙材，就可以完成濺射；
3、濺射所取得的薄膜與基片結合較好；
4、濺射所取得的薄膜純度高、致密性好、成膜均勻性好；
5、濺射工藝可重復性好，可以在大面積基片上取得厚度均勻的薄膜；
6、可以控制鍍層的厚度，一起可經過改動參數條件控制組成薄膜的顆粒巨細；
7、不同的金屬、合金、氧化物可以進行混合，一起濺射于基材上；
8、易于完成工業化。
磁控濺射是物理氣相堆積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多資料，且具有設備簡略、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀 70 時代發展起來的磁控濺射法更是完成了高速、低溫、低損傷。由于是在低氣壓下進行高速濺射，須有效地進步氣體的離化率。磁控濺射經過在靶陰表面引入磁場，使用磁場對帶電粒子的束縛來進步等離子體密度以添加濺射率。
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