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磁控濺射是物理氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡略、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等長處。上世紀 70 時代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射，有必要有效地進步氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰外表引入磁場，運用磁場對帶電粒子的束縛來進步等離子體密度以添加濺射率。
1.鍍金屬膜時，一般用氬氣作為工作氣體，它是惰性氣體，在真空狀態下加熱基片時不會產生氧化作用。2.氧氣一般用于鍍非金屬膜，如TiO2，不用憂慮鍍好膜后產生膜氧化現象。3.氮氣是在換靶鍍膜時往真空室沖入的氣體，讓真空室內壓強和大氣壓強堅持相等，才能開蓋換靶鍍另一層膜。
氬氣是磁控濺射能夠產生輝光的工作氣體，磁控濺射想工作有必要得通入氬氣的，而氧氣是工藝氣體，比如想鍍SiO2，那么要運用Si靶，然后通入氬氣，這時候濺射出來的是Si，而一起通入氧氣的話，那么所鍍膜層就變為SIO2了。
因為SI離子和氧離子反映，生產SiO2或者SiO了。
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