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如何為CVD設備選型？
CVD是化學氣相沉積的簡稱，是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，理論上即：兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內，然后他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。所以普通CVD實驗設備則由三套及以上的設備組合而成即：高溫爐（提供實驗溫度）+供氣系統（提供多種氣體混合）+真空系統（提供實驗環境）。
化學氣相沉積（CVD）設備的靈活度很高，客戶可根據自己實驗要求選擇合適的產品來組合，或者直接選擇CVD套裝。
一．高溫爐選擇一般是管式爐：高溫爐為CVD實驗提供材料沉積所需要的溫度
1、如何選擇管式爐？查看管式爐產品。
二、供氣系統選擇：
供氣系統即混氣裝置，它可以實現2種或者2種以上的氣體或者蒸汽按照一定的比例來混合，然后通入高溫爐中
本公司根據流量計的不同分為2類
1.氣體流量計：
浮子流量計：氣體通過普通的浮子流量計粗略的估計進氣量。
質量流量計：氣體通過D07質量流量計控制進氣量。
2、氣液混合流量計：
用于液體高溫氣化后導入CVD系統的設備，有建議版和控制版本兩種可選。查看供氣系統。
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