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CVD設備制法是將工件置于有氫氣保護的爐內，加熱到800℃以上高溫，向爐內通入反應氣體，使之在爐內熱解，化合成新的化合物沉積在工件表面。在模具的應用中其覆膜厚度一般為6~10μm。
CVD法具有如下特點：可在大氣或低于大氣壓下進行沉積金屬、合金、陶瓷和化合物涂層，能在形狀復雜的基體上或顆粒材料上沉積涂層。涂層的化學成分和結構較易準確控制，也可制備具有成分梯度的涂層。涂層與基體的結合力高，設備簡單操作方便，但它的處理溫度一般為900～1200℃，工件被加熱到如此高的溫度會產生以下問題：
1)工件易變形，心部組織惡化，性能下降。
2)有脫碳現象，晶粒長大，殘留奧氏體增多。
3)形成ε相和復合碳化物。
4)處理后的母材必須進行淬火和回火。
5)不適用于低熔點的金屬材料。
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