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磁控濺射設備技術發展過程中各項技術的突破一般集中在等離子體的產生以及對等離子體進行的控制等方面。通過對電磁場、溫度場和空間不同種類粒子分布參數的控制，使膜層質量和屬性滿足各行業的要求。
膜厚均勻性與磁控濺射靶的工作狀態息息相關，如靶的刻蝕狀態，靶的電磁場設汁等，因此，為保證膜厚均勻性，國外的薄膜制備公司或鍍膜設備制造公司都有各自的關于鍍膜設備(包括核心部件“靶”)的整套設計方案。同時，還有很多專門從事靶的分析、設計和制造的公司，并開發相關的應用設計軟件，根據客戶的要求對設備進行優化設計。國內在鍍膜設備的分析及設計方面與國際先進水平之間還存在較大差距。
因此，建立濺射鍍膜綜合設計系統是勢在必行的。系統的建立可按照由整體綜合設計展開到部分設計，然后，再由部分設計逐步深入到整體綜合設計，即“整體到部分，再到整體”這一動態設計理念，不斷完善設計系統。將濺射鍍膜所涉及的重要因素列舉出來，找出它們之間的內在聯系，進而建立濺射鍍膜綜合設計系統，在此基礎上進行膜厚均勻性研究，并為后期轉化為設計系統軟件做鋪墊，來實現制備薄膜均勻性好的大面積薄膜，為生產提供有力的保障。
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