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一般而言，磁控濺射設備增強系統某一部分的功能將帶來整體功能的增強，同時減少系統對某些部分的依賴，或者可以理解為：兩個必要因素 該系統有機地合并為一個部分。 建立一個的設計系統有助于研究系統各個部分的內部邏輯關系。
濺射技術的出現和應用經歷了許多階段。 首先，這只是一個簡單的兩和三放電濺射沉積。 經過30多年的發展，磁控濺射技術已經發展成為一種不可替代的方法，用于制備功能膜，例如超硬，耐磨，低摩擦系數，耐腐蝕，裝飾，光學和電氣。
磁控濺射系統是該領域的另一項重大進步。 直流反應濺射法沉積致密，無缺陷的絕緣膜（尤其是陶瓷膜）幾乎是不可能的，因為沉積率低，目標材料容易產生電弧放電，并且其結構，成分和性能 被改變了。 這些缺點可以通過使用脈沖磁控濺射技術來克服。 脈沖頻率為10?200kHz，可有效防止目標電弧放電并穩定反應濺射沉積工藝，從而實現高質量反應膜的高速沉積。
磁控濺射系統的原理是在電場的作用下，稀薄氣體的異常輝光放電產生的等離子體會轟擊陰靶的表面，并從靶表面濺射出分子，原子，離子和電子 。 濺射的粒子攜帶一定量的動能，并在一定方向上朝向基板的外表面射出，從而在基板的表面上形成涂層。
濺射涂層開始顯示出簡單的直流二管濺射。 它的優點是設備簡單，但直流二管濺射沉積速率低； 為了堅持自我約束的排放，它不能在低壓下進行； 它不能濺射絕緣材料。 這樣的缺陷限制了它的使用。 在直流二管濺射設備中添加熱陰和輔助陽可構成直流三管濺射。 由添加的熱陰和輔助陽產生的熱電子增強了濺射氣體原子的電離作用，因此即使在低壓下也可以進行濺射。 否則，可以降低濺射電壓以進行低壓濺射。 在低壓條件下； 放電電流也會增加，并且可以不受電壓影響地獨立控制。 在熱陰之前添加電（網格狀）以形成四濺射裝置可以穩定放電。 然而，這些裝置難以獲得具有高濃度和低堆疊速度的等離子體區域，因此其尚未在工業中廣泛使用。
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