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CVD設備是將工件置于有氫氣保護的爐內，加熱到800℃以上高溫，向爐內通入反響氣體，使之在爐內熱解，化組成新的化合物堆積在工件外表。在模具的使用中其覆膜厚度一般為6~10μm。
CVD法具有如下特色：可在大氣或低于大氣壓下進行堆積金屬、合金、陶瓷和化合物涂層，能在形狀雜亂的基體上或顆粒材料上堆積涂層。涂層的化學成分和結構較易準確控制，也可制備具有成分梯度的涂層。涂層與基體的結合力高，設備簡略操作便利，但它的處理溫度一般為900～1200℃，工件被加熱到如此高的溫度會發生以下問題：
1)工件易變形，心部安排惡化，性能下降。
2)有脫碳現象，晶粒長大，殘留奧氏體增多。
3)構成ε相和復合碳化物。
4)處理后的母材有必要進行淬火和回火。
5)不適用于低熔點的金屬材料。
CVD設備化學全相堆積的特色
化學氣相堆積工藝是將加熱的模具暴露在發生反響的混合氣氛(真空度≤1Pa)中，使氣體與模具外表發生反響，在模具外表上生成一層薄的固相堆積物，如金屬碳化物、氮化物、硼化物等。這里有兩個關鍵因素。一是作為初始混合氣體氣相與基體固相界面的作用，也便是說各種初始氣體之間在界面上的反響來發生堆積，或是通過氣相的一個組分與基體外表之間的反響來發生堆積。二是堆積反響有必要在必定的能量激活條件下進行。
一般情況下發生氣相堆積的化學反響有必要有足夠高的溫度作為激活條件，在有些情況下，能夠選用等離子體或激光輔助作為激活條件，降低堆積反響的溫度。總之，化學氣相堆積便是利用氣態物質在固體外表上進行化學反響，生成固態堆積物的過程。
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