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CVD設備體系適用范疇：
CVD體系設備由堆積溫度控件、堆積反應室、真空操控部件和氣源操控備件等部分組成亦可根據用戶需求規劃出產，除了首要應用在碳納米資料制備職業外，現在正在使用在許多職業，包含納米電子學、半導體、光電工程的研發、涂料等范疇 。
CVD生長體系是使用氣態化合物或化合物的混合物在基體受熱面上產生化學反應，從而在基體表面上生成不揮發涂層的一種薄膜資料制備體系。
化學氣相堆積是一種化工技能，該技能首要是使用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的辦法。化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機資料的新技能。化學氣相淀積法現已廣泛用于提純物質、研發新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜資料。這些資料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，并且它們的物理功用可以通過氣相摻雜的淀積過程操控。化學氣相淀積已成為無機組成化學的一個新范疇。
CVD設備的應用
現代科學和技能需求使用很多功用各異的無機新資料，這些功用資料有必要是高純的，或者是在高純資料中有意地摻入某種雜質形成的摻雜資料。但是，我們曩昔所熟悉的許多制備辦法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結晶等往往難以滿意這些要求，也難以確保得到高純度的產品。因而，無機新資料的組成果成為現代資料科學中的首要課題。
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