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磁控濺射設備要求靶材可以將從離子炮擊進程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，然后該辦法只能濺射導體資料，不適于絕緣資料。因為炮擊絕緣靶材時，外表的離子電荷無法中和，這將導致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機會將變小，乃至不能電離，導致不能接連放電乃至放電中止，濺射中止。故對于絕緣靶材或導電性很差的非金屬靶材，須用射頻濺射法（RF）。
濺射進程中涉及到雜亂的散射進程和多種能量傳遞進程：入射粒子與靶材原子發生彈性磕碰，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10 eV），然后從晶格點陣中被磕碰出來，發生離位原子；這些離位原子進一步和鄰近的原子依次反復磕碰，發生磕碰級聯；當這種磕碰級聯到達靶材外表時，如果接近靶材外表的原子的動能大于外表結合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材外表脫離然后進入真空。
濺射鍍膜就是在真空中使用荷能粒子炮擊靶外表，使被炮擊出的粒子沉積在基片上的技術。一般，使用低壓惰性氣體輝光放電來發生入射離子。陰極靶由鍍膜資料制成，基片作為陽極，真空室中通入0.1-10Pa的氬氣或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下發生輝光放電。電離出的氬離子炮擊靶外表，使得靶原子濺起并沉積在基片上，形成薄膜。濺射辦法許多，主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱溝通射頻濺射、離子束濺射以及反應濺射等。
因為被濺射原子是與具有數十電子伏特能量的正離子交流動能后飛濺起來的，因而濺射出來的原子能量高，有利于提高沉積時原子的分散才能，提高沉積組織的細密程度，使制出的薄膜與基片具有強的附著力。
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