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磁控濺射設備的作業原理是指電子在電場E的效果下，在飛向基片進程中與氬原子發生磕碰，使其電離發生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場效果下加速飛向陰極靶，并以高能量炮擊靶外表，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上構成薄膜，而發生的二次電子會遭到電場和磁場效果，發生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌道近似于磁控濺射。
用磁控靶源濺射金屬和合金很簡單，焚燒和濺射很便利。這是因為靶（陰極），等離子體和被濺零件/真空腔體可構成回路。但若濺射絕緣體（如陶瓷），則回路斷了。于是人們選用高頻電源，回路中參加很強的電容，這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時接地技術很雜亂，因而難大規模選用。為處理此問題，創造了磁控反響濺射。便是用金屬靶，參加氬氣和反響氣體如氮氣或氧氣。當金屬靶材撞向零件時因為能量轉化，與反響氣體化合生成氮化物或氧化物。
磁控反響濺射絕緣體看似簡單，而實際操作困難。主要問題是反響不光發生在零件外表，也發生在陽極，真空腔體外表以及靶源外表，然后引起救活，靶源和工件外表起弧等。德國萊寶創造的孿生靶源技術，很好的處理了這個問題。其原理是一對靶源互相為陰陽極，然后消除陽極外表氧化或氮化。濺射進程中涉及到雜亂的散射進程和多種能量傳遞進程：入射粒子與靶材原子發生彈性磕碰，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所構成的勢壘（關于金屬是5-10 eV），然后從晶格點陣中被磕碰出來，發生離位原子；這些離位原子進一步和鄰近的原子依次重復磕碰，發生磕碰級聯；當這種磕碰級聯抵達靶材外表時，如果靠近靶材外表的原子的動能大于外表結合能（關于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材外表脫離然后進入真空。
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