磁控濺射設備各種功用性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等效果的薄膜。例如，低溫堆積氮化硅減反射膜，以提高太陽能電池的光電轉化功率。裝飾領域的使用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機外殼，鼠標等。在微電子領域作為一種非熱式鍍膜技能，主要使用在化學氣相堆積（CVD）或金屬有機化學氣相堆積（CVD）成長困難及不適用的資料薄膜堆積，并且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。在光學領域：中頻閉合場非平衡磁控濺射技能也已在光學薄膜（如增透膜）、低輻射玻璃和透明導電玻璃等方面得到使用。特別是透明導電玻璃廣泛使用于平板顯示器材、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器材、傳感器等。在機械加工行業中，表面功用膜、超硬膜，自潤滑薄膜的表面堆積技能自問世以來得到長足發展，能有效的提高表面硬度、復合耐性、耐磨損性和抗高溫化學安穩性能，然后大幅度地提高涂層產品的使用壽命。

磁控濺射除上述已被很多使用的領域，還在高溫超導薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發光資料、太陽能電池、回憶合金薄膜研討方面發揮重要效果。直流濺射法要求靶材可以將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其嚴密接觸的陰極，然后該方法只能濺射導體資料，不適于絕緣資料，由于轟擊絕緣靶材時表面的離子電荷無法中和，這將導致靶面電位升高，外加電壓簡直都加在靶上，兩極間的離子加快與電離的機會將變小，甚至不能電離，導致不能連續放電甚至放電停止，濺射停止。故關于絕緣靶材或導電性很差的非金屬靶材，須用射頻濺射法（RF）。

磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的效果下，在飛向基片過程中與氬原子發生磕碰，使其電離發生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場效果下加快飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子堆積在基片上形成薄膜，而發生的二次電子會遭到電場和磁場效果，發生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于磁控濺射。

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