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當磁控濺射設備入射離子的能量低于某一臨界值(閥值)時，不會產生濺射;濺射原子的能量比蒸騰原子的能量大許多倍;入射離子的能量很低時，濺射原子角分布就不完全符合余弦分布規則。角分布還與入射離子方向有關。從單晶靶濺射出來的原子趨向于集中在晶體密度大的方向。因為電子的質量很小，所以即便使用具有高能量的電子炮擊靶材也不會產生濺射現象。因為濺射是一個復雜的物理過程，觸及的因素許多，長期以來關于濺射機理盡管進行了許多的研究，提出過許多的理論，但都難以完善地解釋濺射現象。
磁控濺射體系設備的穩定性，對所生成的膜均勻性、成膜質量、鍍膜速率等方面有很大的影響。磁控濺射體系設備的濺射種類有許多，按照使用的電源分，能夠分為直流磁控濺射，射頻磁控濺射，中頻磁控濺射等等。
直流磁控濺射所用的電源是直流高壓電源，通常在300～1000V，特點是濺射速率快，造價低，后期維修保養便宜。但是只能濺射金屬靶材，如果靶材是絕緣體，隨著濺射的深入，靶材會集合很多的電荷，導致濺射無法持續。因此關于金屬靶材通常用直流磁控濺射，因為造價便宜，結構簡單，現在在工業上應用廣泛。
在裝修領域的應用，例如各種全反射膜和半通明膜，例如手機殼，鼠標等。作為微電子領域的非熱鍍膜技能，首要用于化學氣相堆積（CVD）或金屬有機化學氣相堆積（CVD）難以生長而且不適合用于材料的薄膜堆積，而且可以獲得大面積的十分均勻的薄膜。在光學領域：IF封閉場非平衡磁控濺射技能也已應用于光學薄膜（例如抗反射涂層），低輻射率玻璃和通明導電玻璃中。 特別地，通明導電玻璃現在廣泛地用于平板顯示設備，太陽能電池，微波和射頻屏蔽設備和設備以及傳感器中。
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