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磁控濺射設備隨著磕碰次數的添加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶外表，并在電場E的作用下終沉積在基片上。因為該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。磁控濺射是入射粒子和靶的磕碰進程。入射粒子在靶中閱歷復雜的散射進程，和靶原子磕碰，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子磕碰，形成級聯進程。在這種級聯進程中某些外表鄰近的靶原子取得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。
磁控濺射設備包含許多種類。各有不同作業原理和應用對象。但有一共同點：使用磁場與電場交互作用，使電子在靶外表鄰近成螺旋狀運轉，然后增大電子撞擊氬氣發生離子的概率。所發生的離子在電場作用下撞向靶面然后濺射出靶材。磁控濺射設備在二濺射中添加一個平行于靶外表的關閉磁場，借助于靶外表上構成的正交電磁場，把二次電子捆綁在靶外表特定區域來增強電離功率，添加離子密度和能量，然后實現高速率濺射的進程。磁控濺射設備可以有用的前進產品的質量，特別是使用在一些金屬原料上的時分，其不只可以讓其具有絕緣的效果，還可以提水抗腐蝕程度的水平。我們知道當高速電子對不銹鋼、鈦、鎳、金、銀、銅等貴稀金屬轟擊后，金屬分子將向上面的聚脂膜濺射，再通過聚脂膜上面磁的效果，使被濺射的金屬物均勻散布。
靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝修膜。磁控陰極按照磁場位形散布不同，大致可分為平衡態和非平衡磁控陰極。
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