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磁控濺射設備是利用磁場束縛電子的運動,進步電子的離化率.與傳統濺射相比具有"低溫(磕碰次數的添加,電子的能量逐漸下降,在能量耗盡以后才落在陽極)"、"高速(增長電子運動路徑,進步離化率,電離出更多的炮擊靶材的離子)"兩大特色.經過磁場進步濺射率的基本原理由Penning在60多年前創造,后來由Kay和其他人發展起來,并研制出濺射槍和柱式磁場源.1979年Chapin引入了平面磁控結構.
供給一個額外的電子源,而不是從靶陰極獲得電子.完成低壓濺射(壓強小于0.1帕).缺點:難以在大塊扁平材猜中均勻濺射,并且放電過程難以控制,進而工藝重復性差.中頻(MF)磁控濺射中評溝通磁控濺射可用在單個陰極靶體系中,工業上一般運用孿生靶濺射體系;靶材利用率高可達70%以上,靶材有更長的運用壽命,更快的濺射速率,杜絕靶材中毒現象.射頻(RF)磁控濺射射頻濺射特色 - 射頻辦法能夠被用來發生濺射效應的原因是它能夠在靶材上發生自偏壓效應.在射頻濺射設備中,擊穿電壓和放電電壓明顯下降.不必再要求靶材一定要是導電體.
磁控濺射的作業原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生磕碰，使其電離發生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量炮擊靶外表，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而發生的二次電子會受到電場和磁場作用，發生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于一條擺線。若為環形磁場，則電子就以近似擺線方式在靶外表做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，并且被束縛在接近靶外表的等離子體區域內，并且在該區域中電離出大量的Ar 來炮擊靶材，然后完成了高的沉積速率。
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