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磁控濺射設備用磁控靶源濺射金屬和合金很簡單，點火和濺射很便利。這是由于靶（陰極），等離子體和被濺零件/真空腔體可構成回路。但若濺射絕緣體（如陶瓷），則回路斷了。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強的電容，這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源貴重，濺射速率很小，一起接地技術很復雜，因此難大規模采用。為處理此問題，發明晰磁控反應濺射。便是用金屬靶，加入氬氣和反應氣體如氮氣或氧氣。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉化，與反應氣體化合生成氮化物或氧化物。
磁控反應濺射絕緣體看似簡單，而實際操作困難。首要問題是反應不光發生在零件外表，也發生在陽極，真空腔體外表以及靶源外表，然后引起救活，靶源和工件外表起弧等。德國萊寶發明的孿生靶源技術，很好的處理了這個問題。其原理是一對靶源相互為陰陽極，然后消除陽極外表氧化或氮化。
冷卻是一切源（磁控，多弧，離子）所需，由于能量很大一部分轉為熱量，若無冷卻或冷卻不足，這種熱量將使靶源溫度達一千度以上然后溶化整個靶源。磁控濺射是物理氣相堆積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多資料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等長處。上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是完成了高速、低溫、低損傷。由于是在低氣壓下進行高速濺射，須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射經過在靶陰極外表引入磁場，使用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以添加濺射率。
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